BSS84,215

Symbol Micros: TBSS84 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
8500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1537 0,0730 0,0411 0,0312 0,0279
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Standard-Verpackung:
3000/90000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
5050 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1537 0,0730 0,0411 0,0312 0,0279
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Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-25
Anzahl Stück: 87000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-08
Anzahl Stück: 9000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power: 225mW
Case: SOT23
Mounting: SMD

Symbol Micros

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